【成果創出加速プログラム】次世代パワーデバイス向け半導体SiC中の高密度窒素層のふるまいを理論計算で予測

神戸大学大学院工学研究科の小野倫也教授、植本光治助教、大学院生の小松直貴さんらと、北海道大学の江上喜幸助教らの研究グループは、第一原理計算に基づいたSiC中の高密度窒素層の構造モデルの提案を行いました。この成果は、SiC半導体デバイスの製造時の窒素アニールの働きについて理解を深めることにつながります。
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• この成果は「富岳」成果創出加速プログラム「省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション」によるものです。