有効不純物模型に基づく空孔グラフェンの電子状態の数値解析
Posted On 2022.05.25
グラフェンは反磁性を示す物質ですが、グラフェンに原子空孔を導入すると、常磁性を示すことが実験的に報告されています。本研究チームの白川知功研究員と柚木清司チームリーダーは、この空孔グラフェンに関する有効不純物模型を独自に開発した厳密計算手法を用いて解析し、常磁性発生のメカニズムとその特徴を明らかにしました。
本研究成果は、米国の科学雑誌「Physical Review B」にて掲載されました。
Journal reference: T. Shirakawa and S. Yunoki, “Local multiplet formation around a single vacancy in graphene: An effective Anderson model analysis based on the block-Lanczos DMRG method”, Physical Review B 105, 184110 (2022). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.184110